(0)
Изображение служит лишь для справки
UM6006E
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Форма упаковки：MICROWAVE
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：UM6006E
- Максимальная мощность рассеяния：2.5 W
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Microsemi Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.12
- Код ECCN：EAR99
- Применение：ATTENUATOR; SWITCHING
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
- Подкатегория：PIN Diodes
- Технология：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
- Положение терминала：AXIAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-XAMW-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：PIN DIODE
- Минимальная напряжение разрушения：600 V
- Обратная тестовая напряжение：100 V
- Диапазон частот：ULTRA HIGH FREQUENCY
- Диод Капацитирующий-Ном：0.5 pF
- Максимальная емкость диода：0.5 pF
- Миноритарный носитель жизни-ном：1 µs
- Тестовый ток резистора диода：100 mA
- Частота проверки диодного сопротивления：100 MHz
- Диодная прямая сопротивление-Макс：1.7 Ω
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
