Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
UES1106HR
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:UES1106HR
- Максимальная мощность рассеяния:2.5 W
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.72
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Применение:HIGH VOLTAGE
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, HIGH SURGE CAPABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-LALF-W2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Выводная мощность-макс:2 A
- Количество фаз:1
- Максимальная прямая сила тока в пакете:20 A
- Время обратной восстановительной максимальная:0.05 µs
Со склада 0
Итого $0.00000