Изображение служит лишь для справки
VP3203N3-GP005
-
Microchip
-
Неклассифицированные
- -
- RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：VP3203N3-GP005
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Microchip Technology Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.08
- Максимальный ток утечки (ID)：0.65 A
- Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-92
- Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.74 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：60 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.74 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты