Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:M175
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:3 V
  • Распад мощности:310 W
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 200 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:15
  • Минимальная температура работы:- 65 C
  • Монтажные варианты:Screw Mount
  • Производитель:Advanced Semiconductor, Inc.
  • Бренд:Advanced Semiconductor, Inc.
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:30 V
  • Пакетирование:Tray
  • Тип:RF Bipolar Power
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Частота работы:860 MHz
  • Тип продукта:RF Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:Bipolar Power
  • Прямоходящий ток коллектора:25 A
  • Категория продукта:RF Bipolar Transistors

Со склада 0

Итого $0.00000