Изображение служит лишь для справки
NP110N04PUG-AZ
-
Renesas
-
Неклассифицированные
- -
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.17
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：110 A
- Количество элементов：1
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：NP110N04PUG-AZ
- Рохс Код：Yes
- Температура работы-Макс：175 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：110 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0018 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：440 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：288 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты