NAND08GW3C2BZL6F

Name: NUMONYX NAND08GW3C2BZL6F
Brand: NUMONYX
Rating: 4.8 (11 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：52
Описание пакета：VBGA, LGA52(UNSPEC)
Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
Количество кодовых слов：1000000000
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код эквивалентности пакета：LGA52(UNSPEC)
Минимальная температура работы：-40 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время доступа-максимум：25 ns
Температура работы-Макс：85 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：NAND08GW3C2BZL6F
Количество слов：1073741824 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：3 V
Код пакета：VBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Numonyx Memory Solutions
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：NUMONYX
Ранг риска：5.78
Код упаковки компонента：LGA
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：3A991.B.1.A
Тип：MLC NAND TYPE
Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
Подкатегория：Flash Memories
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Количество функций：1
Шаг выводов：1 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：52
Код JESD-30：R-PBGA-B52
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.6 V
Блоки питания：3/3.3 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：2.7 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.03 mA
Организация：1GX8
Максимальная высота посадки：0.65 mm
Ширина памяти：8
Ток ожидания-макс：0.00005 A
Плотность памяти：8589934592 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：FLASH
Программирование напряжения：3 V
Опрос данных：NO
Бит переключения：NO
Пользовательский интерфейс команд：YES
Количество секторов/Размер：2K
Размер сектора：256K
Размер страницы：2K words
Готов/Занят：YES
Ширина：12 mm
Длина：17 mm

Со склада 0

Итого $0.00000