NAND02GR3B2AZB6E

Name: STMicroelectronics NAND02GR3B2AZB6E
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.7 (19 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：63
Количество слов：268435456 words
Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
Код пакета：TFBGA
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：STMicroelectronics
Код цикла жизни компонента：Transferred
Производитель IHS：STMICROELECTRONICS
Ранг риска：5.33
Код упаковки компонента：BGA
Артикул Производителя：NAND02GR3B2AZB6E
Рохс Код：Yes
Температура работы-Макс：85 °C
Время доступа-максимум：25000 ns
Максимальная температура рефлоу：30
Минимальная температура работы：-40 °C
Код эквивалентности пакета：BGA63,10X12,32
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Количество кодовых слов：256000000
Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Описание пакета：TFBGA, BGA63,10X12,32
Код JESD-609：e1
Код ECCN：3A991.B.1.A
Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД：8542.32.00.51
Подкатегория：Flash Memories
Технология：CMOS
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Количество функций：1
Шаг выводов：0.8 mm
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：63
Код JESD-30：R-PBGA-B63
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
Блоки питания：1.8 V
Градация температуры：INDUSTRIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
Режим работы：ASYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.015 mA
Организация：256MX8
Максимальная высота посадки：1.2 mm
Ширина памяти：8
Ток ожидания-макс：0.00005 A
Плотность памяти：2147483648 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип микросхемы памяти：FLASH
Программирование напряжения：1.8 V
Опрос данных：NO
Бит переключения：NO
Пользовательский интерфейс команд：YES
Количество секторов/Размер：2K
Размер сектора：128K
Размер страницы：2K words
Готов/Занят：YES
Длина：12 mm
Ширина：9.5 mm

Со склада 0

Итого $0.00000