(0)
Изображение служит лишь для справки
NAND512R4M5AZB5E
-
STMicroelectronics
-
Неклассифицированные
- -
- 10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：149
- Ранг риска：5.17
- Код упаковки компонента：BGA
- Производитель IHS：STMICROELECTRONICS
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель：STMicroelectronics
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код пакета：TFBGA
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Количество слов：33554432 words
- Артикул Производителя：NAND512R4M5AZB5E
- Рохс Код：Yes
- Температура работы-Макс：85 °C
- Максимальная температура рефлоу：40
- Минимальная температура работы：-30 °C
- Код эквивалентности пакета：BGA149,12X16,32
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Количество кодовых слов：32000000
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Описание пакета：10 X 13.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-149
- Дополнительная Характеристика：LPSDRAM IS ORGANISED AS 16M X 16
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.71
- Подкатегория：Other Memory ICs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：149
- Код JESD-30：R-PBGA-B149
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：COMMERCIAL EXTENDED
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Режим работы：ASYNCHRONOUS
- Организация：32MX16
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：16
- Плотность памяти：536870912 bit
- Тип микросхемы памяти：MEMORY CIRCUIT
- Смешанный тип памяти：FLASH+SDRAM
- Длина：13.5 mm
- Ширина：10 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
