Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTND31225CZTAG
Изображение служит лишь для справки






NTND31225CZTAG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFLGA
- Small Signal Misfit 20V Complementary N/P Channel 6-Pin XLLGA6 T/R
Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:5 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-XFLGA
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:220mA Ta 127mA Ta
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PBCC-N6
- Каналов количество:2
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:125mW
- Мощность - Макс:125mW Ta
- Тип ТРВ:N and P-Channel Complementary
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5 Ω @ 100mA, 4.5V, 5 Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:12.3pF @ 15V 12.8pF @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Standard
- Высота:440μm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 5000
Итого $0.00000