(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMG1026UVQ-7
Изображение служит лишь для справки
DMG1026UVQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
Date Sheet
Lagernummer 907
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：440mA Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：650mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.8 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：32pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.45pC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.38A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 907
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
