(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDMA1023PZ-F106
Изображение служит лишь для справки
FDMA1023PZ-F106
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-VDFN Exposed Pad
- DUAL P-CH ERTRENCH FETS
Date Sheet
Lagernummer 580
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.7A Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：6
- Форма вывода：NO LEAD
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Мощность - Макс：700mW Ta
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：72m Ω @ 3.7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：655pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Код JEDEC-95：MO-229VCCC
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.072Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5W
- Характеристика ТРП：Standard
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：135 pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 580
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
