(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDMA1028NZ-F021
Изображение служит лишь для справки
FDMA1028NZ-F021
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-VDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
Date Sheet
Lagernummer 3632
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VDFN Exposed Pad
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：3.9mOhm
- Максимальная потеря мощности：700mW
- Мощность - Макс：700mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：68m Ω @ 3.7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：340pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3632
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
