Изображение служит лишь для справки
MASMBJP6KE160AE3TR
- Microsemi
- Неклассифицированные
- -
- R-PDSO-C2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Описание пакета:R-PDSO-C2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:MASMBJP6KE160AE3TR
- Максимальная мощность рассеяния:1.38 W
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.47
- Код упаковки компонента:DO-214AA
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Технология:AVALANCHE
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:C BEND
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-PDSO-C2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение:136 V
- Код JEDEC-95:DO-214AA
- Максимальная мощность разрядки:600 W
- Минимальная напряжение разрушения:152 V
- Максимальная напряжённость разрушения:168 V
Со склада 0
Итого $0.00000