(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTUD3129PT5G
Изображение служит лишь для справки
NTUD3129PT5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-963
- MOSFET 2P-CH 20V 0.14A SOT-963
Date Sheet
Lagernummer 653
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-963
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：112 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2007
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
- Максимальная потеря мощности：125mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：125mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12pF @ 15V
- Время подъема：37ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：37 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：140mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.14A
- Сопротивление открытого канала-макс：5Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 653
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
