(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы ALD1115SAL
Изображение служит лишь для справки
ALD1115SAL
-
Advanced Linear Devices Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：0°C~70°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2006
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：500mW
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：500mW
- Тип ТРВ：N and P-Channel Complementary
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1800 Ω @ 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3pF @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：10.6V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：-2mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：13.2V
- Сопротивление открытого канала-макс：500Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：-12V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 38
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
