(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы TC8020K6-G-M937
Изображение служит лишь для справки
TC8020K6-G-M937
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 56-VFQFN Exposed Pad
- Trans MOSFET N/P-CH 200V 56-Pin QFN EP T/R
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：56-VFQFN Exposed Pad
- Вес：191.387631mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：6
- Время отключения：20 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：56
- Положение терминала：QUAD
- Форма вывода：NO LEAD
- Конфигурация：COMPLEX
- Каналов количество：12
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：6 N and 6 P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.2A
- Сопротивление открытого канала-макс：8Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：200V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 10
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
