Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTC120WX75GD-SMD
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
MTC120WX75GD-SMD
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- ISOPLUS-DIL™
- IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:28 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:ISOPLUS-DIL™
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:180A Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Состояние изделия:Active
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.1m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:10500pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:178nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):75V
- Характеристика ТРП:Standard
Со склада 38
Итого $0.00000