APTM10HM19FT3G

Name: Microsemi Corporation APTM10HM19FT3G
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.6 (11 reviews)

Microsemi Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SP3
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：36 Weeks
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SP3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：4
Время отключения：95 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：25
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：208W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Число контактов：25
Код JESD-30：R-XUFM-X25
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：208W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：35 ns
Тип ТРВ：4 N-Channel (H-Bridge)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21m Ω @ 35A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5100pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200nC @ 10V
Время подъема：70ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Время падения (тип)：125 ns
Непрерывный ток стока (ID)：70A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Высота：11.5mm
Длина：73.4mm
Ширина：40.8mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000