APTM50H10FT3G

Name: Microsemi Corporation APTM50H10FT3G
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.7 (7 reviews)

Microsemi Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SP3
Trans MOSFET N-CH 500V 37A 32-Pin Case SP-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：36 Weeks
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SP3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：4
Время отключения：73 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：25
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：312W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Число контактов：25
Код JESD-30：R-XUFM-X25
Конфигурация：COMPLEX
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：312W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：4 N-Channel (H-Bridge)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120m Ω @ 18.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4367pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：96nC @ 10V
Время подъема：21ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
Время падения (тип)：52 ns
Непрерывный ток стока (ID)：37A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.12Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：500V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1600 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000