(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4532ADY-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI4532ADY-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Вес：186.993455mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.7A 3A
- Время отключения：21 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：1.2W
- Основной номер части：SI4532
- Каналов количество：2
- Время задержки включения：8 ns
- Мощность - Макс：1.13W 1.2W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：53mOhm @ 4.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
- Время подъема：9ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：10 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.7A
- Пороговое напряжение：1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：80mOhm
- Rds на макс.：53 mΩ
- Высота：1.55mm
- Длина：5mm
- Ширина：4mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
