(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы HAT1126RWS-E
Изображение служит лишь для справки
HAT1126RWS-E
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH SOP8
Date Sheet
Lagernummer 1925
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：3W Ta
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2300pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 4.5V Drive
Со склада 1925
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
