IRF7465TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF7465TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 1933

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
Время отключения：10 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2001
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：280mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：150V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：1.9A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：280m Ω @ 1.14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：330pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：1.2ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.9A
Пороговое напряжение：5.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：150V
Двухпитание напряжения：150V
Номинальное Vgs：5.5 V
Высота：1.4986mm
Длина：4.9784mm
Ширина：3.9878mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead, Lead Free

Со склада 1933

Итого $0.00000