CSD19538Q3AT

Name: Texas Instruments CSD19538Q3AT
Brand: Texas Instruments
Rating: 4.9 (11 reviews)

Texas Instruments
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Date Sheet

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：6 Weeks
Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：2.8W Ta 23W Tc
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
Серия：NexFET™
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：CSD19538
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：59m Ω @ 5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.8V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：454pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.3nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：15A
Пороговое напряжение：3.2V
Максимальный сливовой ток (ID)：4.9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.072Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：37A
Минимальная напряжённость разрушения：100V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：16.4 pF
Ширина：3.3mm
Длина：3.3mm
Толщина：800μm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Lead Free

Со склада 1000

Итого $0.00000