(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMT8012LFG-7
Изображение служит лишь для справки
DMT8012LFG-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Date Sheet
Lagernummer 2180
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：23 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Вес：72.007789mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.5A Ta 35A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.2W Ta 30W Tc
- Время отключения：16.5 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Капацитивность：1.949nF
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：4.9 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1949pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 10V
- Время подъема：3.8ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：3.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：35A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：80V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2180
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
