IRF1010EPBF

Name: Infineon Technologies IRF1010EPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Покрытие контактов：Tin
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：200W Tc
Время отключения：48 ns
Количество элементов：1
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：84A Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2001
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：Through Hole
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：12mOhm
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：84A
Пitched Lead：2.54mm
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：170W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12m Ω @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3210pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：130nC @ 10V
Время подъема：78ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：53 ns
Непрерывный ток стока (ID)：84A
Пороговое напряжение：4V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：75A
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Двухпитание напряжения：60V
Номинальное Vgs：4 V
Ширина：4.826mm
Длина：10.668mm
Высота：16.51mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000