(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK6A60D(STA4,Q,M)
Изображение служит лишь для справки
TK6A60D(STA4,Q,M)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Date Sheet
Lagernummer 948
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：40W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：π-MOSVII
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Число контактов：3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.25 Ω @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
- Время подъема：20ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：6A
- Максимальный импульсный ток вывода：24A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 948
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
