IRFIBE30GPBF

Name: Vishay Siliconix IRFIBE30GPBF
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (14 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
VISHAY IRFIBE30GPBF Power MOSFET, N Channel, 2.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet

Lagernummer 1851

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
Вес：6.000006g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.1A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
Время отключения：82 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2014
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Сопротивление：3Ohm
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：35W
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3Ohm @ 1.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：78nC @ 10V
Время подъема：33ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：30 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.1A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：800V
Входной ёмкости：1.3nF
Сопротивление стока к истоку：3Ohm
Rds на макс.：3 Ω
Высота：9.8mm
Длина：10.63mm
Ширина：4.83mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1851

Итого $0.00000