(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF100B201
Изображение служит лишь для справки
IRF100B201
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Single N-Channel 100 V 4.2 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Date Sheet
Lagernummer 100000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：192A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：441W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®, StrongIRFET™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2m Ω @ 115A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9500pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：255nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：192A
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 100000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
