Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFS9N60APBF

Изображение служит лишь для справки






IRFS9N60APBF
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 112
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK
- Вес:1.437803g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9.2A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:170W Tc
- Время отключения:30 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Сопротивление:750mOhm
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:170W
- Время задержки включения:13 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:750mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1400pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:49nC @ 10V
- Время подъема:25ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):22 ns
- Непрерывный ток стока (ID):9.2A
- Пороговое напряжение:4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Напряжение пробоя стока к истоку:600V
- Входной ёмкости:1.4nF
- Сопротивление стока к истоку:750mOhm
- Rds на макс.:750 mΩ
- Высота:4.83mm
- Длина:10.67mm
- Ширина:9.65mm
- REACH SVHC:Unknown
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 112
Итого $0.00000