Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFSL11N50APBF
Изображение служит лишь для справки
IRFSL11N50APBF
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Weight：2.387001g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2016
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Resistance：550mOhm
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：14 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：550m Ω @ 6.6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1426pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：51nC @ 10V
- Rise Time：34ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：27 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：390 mJ
- Height：9.65mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты