(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB55ENEAX
Изображение служит лишь для справки
PMPB55ENEAX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD
Date Sheet
Lagernummer 3601
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1.65W Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Число контактов：6
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：S-PDSO-N6
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：56m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.7V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：435pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.056Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：16A
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3601
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
