(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS5C423NLT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFS5C423NLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C423NLT1G MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：38 Weeks
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 13 hours ago)
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：8
- Время отключения：28 ns
- Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 83W Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Опубликовано：2015
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3100pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
- Время подъема：72ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：8.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：150A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- REACH SVHC：No SVHC
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
