(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6J207FE,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6J207FE,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Date Sheet
Lagernummer 3418
- 1+： $0.39931
- 10+： $0.37671
- 100+： $0.35538
- 500+： $0.33527
- 1000+： $0.31629
Zwischensummenbetrag $0.39931
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.4A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Время отключения：14 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSII
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：15 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：251m Ω @ 650mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：137pF @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Непрерывный ток стока (ID)：1.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3418
- 1+： $0.39931
- 10+： $0.37671
- 100+： $0.35538
- 500+： $0.33527
- 1000+： $0.31629
Итого $0.39931
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
