(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK9M10-30EX
Изображение служит лишь для справки
BUK9M10-30EX
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-1210, 8-LFPAK33
- BUK9M10-30E - N-channel 30 V, 10 mO logic level MOSFET in LFPAK33
Date Sheet
Lagernummer 576
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-1210, 8-LFPAK33
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：54A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：55W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2016
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：8
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.8m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1249pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.2nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Непрерывный ток стока (ID)：54A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.01Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：216A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：28.3 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 576
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
