Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRLB8314PBF

Изображение служит лишь для справки






IRLB8314PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 30V 184A TO220
Date Sheet
Lagernummer 25000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:130A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:125W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:HEXFET®
- Опубликовано:2014
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.4m Ω @ 68A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5050pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:60nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):130A
- Пороговое напряжение:1.7V
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 25000
Итого $0.00000