FQP13N10

Name: ON Semiconductor FQP13N10
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET N-CH/100V/12.8A 0.18OHM
Date Sheet

Lagernummer 40

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12.8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：65W Tc
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：180mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Моментальный ток：12.8A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：65W
Время задержки включения：5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180m Ω @ 6.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：450pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
Время подъема：55ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：12.8A
Пороговое напряжение：4V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：100V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：95 mJ
Высота：9.4mm
Длина：10.1mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 40

Итого $0.00000