Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFN420N10T
Изображение служит лишь для справки
IXFN420N10T
- IXYS
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-227-4, miniBLOC
- MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
- Date Sheet
Lagernummer 163
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:30 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Количество контактов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:420A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:1070W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:GigaMOS™ HiPerFET™
- Опубликовано:2009
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel (Ni)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.3m Ω @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 8mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:47000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:670nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):420A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0023Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:1000A
- Минимальная напряжённость разрушения:100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):5000 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 163
Итого $0.00000