IPB048N15N5LFATMA1

Name: Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
Price: 4.161305 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Date Sheet

Lagernummer 916

1+： $4.16130
10+： $3.92576
100+： $3.70355
500+： $3.49391
1000+： $3.29614

Zwischensummenbetrag $4.16130

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：313W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™-5
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.8m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.9V @ 255μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：380pF @ 75V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：84nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：120A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0048Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：480A
Минимальная напряжённость разрушения：150V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：30 mJ
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：23 pF
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 916

1+： $4.16130
10+： $3.92576
100+： $3.70355
500+： $3.49391
1000+： $3.29614

Итого $4.16130