(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 1HN04CH-TL-W
Изображение служит лишь для справки
1HN04CH-TL-W
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Срок поставки от производителя：7 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：270mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Время отключения：58 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：600mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Каналов количество：1
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 140mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.6V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：15pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.9nC @ 10V
- Время подъема：7.4ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：39 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：270mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.27A
- Сопротивление открытого канала-макс：8Ohm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 200
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
