Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTA08N100D2
Изображение служит лишь для справки
IXTA08N100D2
- IXYS
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
- Date Sheet
Lagernummer 628
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:24 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:800mA Tc
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:60W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2009
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:21 Ω @ 400mA, 0V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:325pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:14.6nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1000V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):800mA
- Код JEDEC-95:TO-263AA
- Характеристика ТРП:Depletion Mode
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 628
Итого $0.00000