FQB8P10TM

Name: ON Semiconductor FQB8P10TM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (8 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 783

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.75W Ta 65W Tc
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：530mOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：-8A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.75W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：530m Ω @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：470pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：110ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Напряжение пробоя стока к истоку：-100V
Максимальный импульсный ток вывода：32A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 783

Итого $0.00000