Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL115N10F7AG
Изображение служит лишь для справки
STL115N10F7AG
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
- Date Sheet
Lagernummer 2318
- 1+: $2.43301
- 10+: $2.29529
- 100+: $2.16537
- 500+: $2.04280
- 1000+: $1.92717
Zwischensummenbetrag $2.43301
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Поверхностный монтаж:YES
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Вид крепления:Surface Mount
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:136W Tc
- Количество элементов:1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:107A Tc
- Серия:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STL115
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6m Ω @ 53A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5600pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:72.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):75A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.006Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:428A
- Минимальная напряжённость разрушения:100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):490 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2318
- 1+: $2.43301
- 10+: $2.29529
- 100+: $2.16537
- 500+: $2.04280
- 1000+: $1.92717
Итого $2.43301