Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STL135N8F7AG
Изображение служит лишь для справки
STL135N8F7AG
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-CH 80V 130A
- Date Sheet
Lagernummer 6621
- 1+: $2.91150
- 10+: $2.74670
- 100+: $2.59123
- 500+: $2.44455
- 1000+: $2.30618
Zwischensummenbetrag $2.91150
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:130A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:4.8W Ta 135W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STL135
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.6m Ω @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6800pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:103nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):80V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):130A
- Максимальный сливовой ток (ID):120A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0036Ohm
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1200 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 6621
- 1+: $2.91150
- 10+: $2.74670
- 100+: $2.59123
- 500+: $2.44455
- 1000+: $2.30618
Итого $2.91150