Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD14NM50NAG
Изображение служит лишь для справки
STD14NM50NAG
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 2258
- 1+: $1.61778
- 10+: $1.52621
- 100+: $1.43982
- 500+: $1.35832
- 1000+: $1.28143
Zwischensummenbetrag $1.61778
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:90W
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STD14
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:320m Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:816pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:27nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):500V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Максимальный сливовой ток (ID):12A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.32Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:48A
- Минимальная напряжённость разрушения:500V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):172 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2258
- 1+: $1.61778
- 10+: $1.52621
- 100+: $1.43982
- 500+: $1.35832
- 1000+: $1.28143
Итого $1.61778