(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6006KND3TL1
Изображение служит лишь для справки
R6006KND3TL1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
Date Sheet
Lagernummer 2930
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：830m Ω @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：350pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：6A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.83Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：18A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：65 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2930
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
