R6006JND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R6006JND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 1.9126197 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
Date Sheet

Lagernummer 800

1+： $1.91262
10+： $1.80436
100+： $1.70222
500+： $1.60587
1000+： $1.51497

Zwischensummenbetrag $1.91262

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：15V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：86W Tc
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：936m Ω @ 3A, 15V
Втс(th) (Макс) @ Id：7V @ 800μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：410pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.5nC @ 15V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Сопротивление открытого канала-макс：0.936Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：18A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：117 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 800

1+： $1.91262
10+： $1.80436
100+： $1.70222
500+： $1.60587
1000+： $1.51497

Итого $1.91262