(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STI18N60M2
Изображение служит лишь для справки
STI18N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
Date Sheet
Lagernummer 663
- 1+： $1.35661
- 10+： $1.27983
- 100+： $1.20738
- 500+： $1.13904
- 1000+： $1.07457
Zwischensummenbetrag $1.35661
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STI18N
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：13A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.28Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：52A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：135 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 663
- 1+： $1.35661
- 10+： $1.27983
- 100+： $1.20738
- 500+： $1.13904
- 1000+： $1.07457
Итого $1.35661
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
