R6009END3TL1

Name: ROHM Semiconductor R6009END3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 2.6195409 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (17 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NCH 600V 9A POWER MOSFET. POWER
Date Sheet

Lagernummer 5038

1+： $2.61954
10+： $2.47126
100+： $2.33138
500+： $2.19942
1000+： $2.07492

Zwischensummenbetrag $2.61954

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：94W Tc
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：535m Ω @ 2.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：430pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.535Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：18A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：153 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 5038

1+： $2.61954
10+： $2.47126
100+： $2.33138
500+： $2.19942
1000+： $2.07492

Итого $2.61954