Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR392DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR392DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET N-CHAN 30V
- Date Sheet
Lagernummer 6736
- 1+: $2.77363
- 10+: $2.61663
- 100+: $2.46852
- 500+: $2.32879
- 1000+: $2.19698
Zwischensummenbetrag $2.77363
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® SO-8DC
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:82A Ta 100A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:6.25W Ta 125W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:0.62mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9530pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:188nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):+20V, -16V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 6736
- 1+: $2.77363
- 10+: $2.61663
- 100+: $2.46852
- 500+: $2.32879
- 1000+: $2.19698
Итого $2.77363