Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STP16N60M2
Изображение служит лишь для справки
STP16N60M2
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
- Date Sheet
Lagernummer 177
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:MDmesh™ M2
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Основной номер части:STP16N
- Конфигурация:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:320m Ω @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:700pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:19nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Непрерывный ток стока (ID):12A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 177
Итого $0.00000